展示 AI、運算和儲存系統的創新應用
東京--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation 是全球記憶體解決方案的領導者，公司今日宣布，其研究論文已被 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 2024 接受發表。IEDM 2024 是享負盛名的國際會議，將於 12 月 7 日 至 11 日 在美國三藩市舉行。
Kioxia 致力於半導體記憶體的研發，這對人工智能的進步和社會數碼轉型至關重要。除了其最先進的 3D 閃存技術 BiCS FLASH™ 外，Kioxia 在新興記憶體解決方案的研究方面亦表現出色。公司不斷努力，以創新的記憶體產品滿足未來運算和儲存系統的需求。
現有的運算系統利用 DRAM（一種主要的記憶體設備，使 CPU 能夠快速處理數據）以及閃存來儲存大量數據。Kioxia 正引領儲存級記憶體 (SCM) 的研發，SCM 是一種位於半導體記憶體層次結構中 DRAM 和閃存之間的記憶體解決方案，旨在以比 DRAM 更大容量和比閃存更高速度處理數據。
在 IEDM 上，Kioxia 將發佈針對這三種半導體記憶體而定制的尖端技術：(1) 利用氧化物半導體的新型 DRAM，重點是降低功耗，(2) 適用於更大容量 SCM 應用程式的 MRAM，以及 (3) 擁有更高位元密度和性能的新型 3D 閃存結構。
新興記憶體技術：
1. 氧化物半導體通道電晶體 DRAM (OCTRAM)： 這項技術由南亞科技和 Kioxia Corporation 共同開發。兩家公司開發了一種垂直電晶體，透過改良製造工藝增強電路集成度。兩家公司透過利用氧化物半導體的特性提升電晶體性能，達致極低的電流洩漏。這有望降低各種應用程式的功耗，包括 AI 和後 5G 通訊系統，以及物聯網產品。
論文標題：具有 4F2 架構的氧化物半導體通道電晶體 DRAM (OCTRAM)（論文編號：6-1）
2. 高容量交叉點 MRAM 技術： 這項技術由 SK 海力士和 Kioxia Corporation 共同開發。透過這項技術，兩家公司結合適用於大容量的選擇器與磁性隧道結的單元技術，並應用交叉點型陣列的精細加工技術，在 MRAM 最小的單元半間距 20.5 納米規模上實現了單元讀／寫操作。隨着單元小型化，記憶體可靠性往往會下降。兩家公司利用選擇器瞬態反應的新讀取方法，並降低讀取電路的寄生電容，開發出一個潛在的解決方案。這項技術在 AI 和大數據處理方面有實際應用價值。
論文標題：全球最細小 1 選擇器-1MTJ 單元，適用於 64 Gb 交叉點 MRAM 的可靠記憶體操作和低讀取干擾率（論文編號：20-1）
3. 採用水平單元堆疊結構的下一代 3D 記憶體技術： Kioxia 開發了一種新的 3D 結構，以提高可靠性並防止 NAND 型單元性能下降。在傳統結構中，堆疊層數增加通常會導致性能下降。與垂直排列 NAND 型單元的傳統結構相比，新結構透過堆疊 NAND 型單元來水平排列它們。這種結構允許以低成本實現高位元密度和高可靠性的 3D 閃存。
論文標題：先進水平通道閃存的卓越可擴展性，適用於未來 3D 閃存（論文編號：30-1）
有關 IEDM 的更多詳情，請瀏覽：https://www.ieee-iedm.org/
Kioxia 的使命是「以『記憶體』提升世界」，旨在透過記憶體技術開創新時代，並將繼續推動研發，以支持數碼社會的未來發展。
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關於 Kioxia
Kioxia 是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟 (SSD) 的開發、生產和銷售。其前身是 Toshiba Memory，於 2017 年 4 月從 Toshiba Corporation（1987 年發明了 NAND 快閃記憶體）剝離出來。Kioxia 致力於憑藉記憶體技術促進世界發展，該公司提供各種產品、服務和系統，為客戶提供多樣化選擇，並基於記憶體技術創造價值，推動社會的發展。Kioxia 創新的 3D 快閃記憶體技術 BiCS FLASH™ 正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高級智慧型手機、PC、SSD、汽車和資料中心）的未來。
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Kioxia Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com
記憶體層次結構（圖片：美國商業資訊）
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