25,978.07
+62.87
(+0.24%)
26,041
+76
(+0.29%)
高水63
8,775.62
+42.99
(+0.49%)
4,902.20
+36.68
(+0.75%)
2,367.23億
4,079.90
-13.35
(-0.326%)
4,769.37
-16.96
(-0.354%)
14,940.30
-103.15
(-0.686%)
2,784.59
-9.30
(-0.33%)
77,765.0400
+327.9100
(0.423%)
安森美半導體
  • 98.400
  • +0.620
  • (+0.634%)
  • 最高
  • 100.300
  • 最低
  • 95.950
  • 成交股數
  • 1.34千萬
  • 成交金額
  • 11.43億
  • 前收市
  • 97.780
  • 開市
  • 99.225
  • 盤後
  • 98.000
  • -0.400
  • (-0.407%)
  • 最高
  • 99.980
  • 最低
  • 97.400
  • 成交股數
  • 67.69萬
  • 成交金額
  • 6.65千萬
  • 買入
  • 94.650
  • 賣出
  • 110.000
  • 市值
  • 384.60億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 97262
  • 每宗成交金額
  • 11,749
  • 波幅
  • 11.366%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 337.17/24.75
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 38.553%
  • 風險率
  • 9.175
  • 振幅率
  • 6.975%
  • 啤打系數
  • 1.637

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 24/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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